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錫須產(chǎn)生的原因分析

錫須是在錫表面自然生長的錫晶體,錫須對于電子產(chǎn)品的損害非常大。錫須是怎么產(chǎn)生的一直受到大家的關(guān)注,及時的了解錫須的錫須的生產(chǎn)原因,并且有針對性的抑制錫須的生長,可以有效的延長電子產(chǎn)品的使用壽命。松盛光電來給大家介紹錫須產(chǎn)生的原因,來了解一下吧。

金屬間化合物的形成

當(dāng)錫與其他金屬(如銅)接觸時,在一定條件下會發(fā)生相互擴散,形成金屬間化合物。以錫銅合金為例,在室溫下銅原子便會自然地擴散進入錫產(chǎn)生 Cu?Sn?介面金屬合金 IMC。隨著時間的推移,這種金屬間化合物的不斷生長會產(chǎn)生一種推力,迫使錫層受到推擠的應(yīng)力。當(dāng)這種應(yīng)力達到一定程度時,就可能促使錫原子沿著晶體邊界擴散,形成錫須。

外部應(yīng)力作用

機械應(yīng)力:機械應(yīng)力的產(chǎn)生通常是外來的,尤其是壓縮性的機械應(yīng)力,更容易加速錫須的生長。例如,當(dāng)連接器與軟性印刷電路板(FPC)連接時,連接器會對 FPC 引腳產(chǎn)生夾持壓力,在這種壓力作用下,F(xiàn)PC 上的金屬引腳邊緣處就容易出現(xiàn)錫須。

熱應(yīng)力:熱應(yīng)力指產(chǎn)品遭受高、低溫度變化時,相結(jié)合的兩材料因膨脹系數(shù)的不同所產(chǎn)生的壓縮或拉張力。錫的膨脹系數(shù)比銅高,因此在制程中經(jīng)常由回流焊后回到室溫時,錫鍍層實際是承受到銅底材牽制產(chǎn)生的拉張力,但仍可發(fā)現(xiàn)錫須的發(fā)生。其原因可能是化學(xué)應(yīng)力之自發(fā)性錫須成長應(yīng)力遠大于熱應(yīng)力,及鍍層中任何不均勻性造成的局部性壓縮應(yīng)力。

環(huán)境因素

溫度:溫度對錫須的生長有顯著影響。一般來說,在室溫附近,錫須生長較為明顯。升高溫度可以加快錫原子的擴散速度,有利于錫晶須生長,但當(dāng)溫度過高時,應(yīng)力會被松弛,反而不利于錫須生長。例如,在一些高溫環(huán)境下工作的電子設(shè)備,錫須的生長速度可能會加快。

濕度:濕度對錫須生長也有影響。相對濕度越高尤其是當(dāng)相對濕度達到 85% 以上時,錫須生長越快。這是因為在高濕度環(huán)境下,錫表面可能會形成一層薄薄的水膜,這層水膜可以作為電解質(zhì),促進電化學(xué)反應(yīng)的進行,從而加速錫須的生長。


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